Transphorm konzentriert sich auf PCIM 2019 auf Einfachheit und Zuverlässigkeit der Hochspannungs-GaN-Anwendungsentwicklung

Dienstag, 23.04.19 17:06
Transphorm konzentriert sich auf PCIM 2019 auf Einfachheit und Zuverlässigkeit der Hochspannungs-GaN-Anwendungsentwicklung
Bildquelle: iStock by Getty Images
GOLETA, Kalifornien –

Transphorm Inc. – Marktführer im Bereich Design und Herstellung der ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten 650 V- und 900 V-Galliumnitrid-(GaN)-Halbleiter mit höchster Zuverlässigkeit – gab heute einen Einblick in seinen Markenauftritt auf der PCIM Europe 2019. In Halle 9, am Stand 519, konzertrierte er sich auf drei Kernpunkte, damit Konferenzteilnehmer das Hochspannungs-GAN-Versprechen von Transphorm besser verstehen können:

  • Zuverlässigkeit: Vertrauenswürdiges Design bei der Verwendung hochwertiger und zuverlässiger (Quality + Reliability, Q+R) GaN-Transistoren von Transphorm.
  • Fahrbarkeit: Kopplung von Transphorm-Geräten mit handelsüblichen Treibern, um die Fahrbarkeit zu erleichtern.
  • Einfachheit: Einfachere Designs durch minimale externe Gate-Treiberschaltung in Verbindung mit Standardgehäusen wie TO-220, TO-247 und PQFN mit bekannten Wärmemanagementtechniken.

„Auf der PCIM werden Sie Innovationshöhepunkte von Transphorm kennenlernen, zusammen mit deren messbaren Auswirkungen auf Kundenanwendungen mit geringem und hohem Volumen“, so Philip Zuk, Vizepräsident für weltweites technisches Marketing bei Transphorm. „Wir haben hart gearbeitet, um GaN-Transistoren herzustellen, die leistungsstark, hochzuverlässig und benutzerfreundlich sind. Dies führte dazu, dass GaN-Geräte von Transphorm in mehreren Kundenprodukten ausgeliefert wurden. Dies wiederum führte zu mehr als 3 Milliarden Stunden von uns erfassten Daten zur Feldzuverlässigkeit, um Qualität und Zuverlässigkeit unseres GaN zu validieren – damit unsere Kunden mit Vertrauen entwickeln können.“

Höhepunkte der Ausstellung:

Quality + Reliability (Qualität und Zuverlässigkeit)
Transphorm veröffentlichte den branchenweit ersten vollständigen Q+R-Datensatz, einschließlich Early Lifetime [ELF], Field Reliability-Daten und FIT-Raten, abgestimmt auf jene von reiferen Technologien wie SiC. Diese hohe Q+R wird durch das kürzlich veröffentlichte AEC-Q101-qualifizierte (automotive) Gerät – das TP65H035WSQA – bei 175 °C bestätigt.

Bewertungsboards und Referenzdesign
Displays beinhalten:

  • 2 kW DC zu DC hart geschaltete Halbbrücke
  • 1,2 kW DC zu DC LLC Wandler
  • 3,3 kW brückenfreies, totem-poliges PFC-Referenzdesign
    (Effektive Plattform für die Entwicklung hocheffizienter DSP-basierter PFC-Wandler)

Kunden-Anwendungsfälle aus der Produktion
Anwendungsfälle zeigen die quantitativen und qualitativen Auswirkungen der GaN-Plattform von Transphorm bei verschiedenen Endanwendungen, von robusten, breiten industriellen Stromversorgungen bis hin zu hochvolumigen Batterieladelösungen.

Über Transphorm

Mit einem der größten Power-GaN-IP-Portfolios (über 1.000 anhängige Patente weltweit) ist Transphorm das einzige Unternehmen der Branche, das JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierte GaN-FETs fertigt, entwickelt und produziert.

Die Ausgangssprache, in der der Originaltext veröffentlicht wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die Sprachversion, die im Original veröffentlicht wurde, ist rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen Sprachversion der Veröffentlichung ab.



Quelle: Business Wire


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